Infineon Technologies BG 3230 E6327
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BG 3230 E6327
1211-BG 3230 E6327
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
--最小包装量--
BG 3230 E6327详情
Infineon Technologies BG 3230 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
8V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
额定电流
25mA
Reach合规守则
unknown
频率
800MHz
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
增益
24dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.025A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2W
噪声图
1.3dB
电压-测试
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
BG 3230 E6327拓展信息
Infineon Technologies
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