Infineon Technologies BG3130RH6327XTSA1
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BG3130RH6327XTSA1
1211-BG3130RH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
--最小包装量--
BG3130RH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BG3130RH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Number of Elements
2
Voltage Rated
8V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
低噪音
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
25mA
频率
800MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BG3130
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
测试电流
14mA
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
连续放电电流(ID)
25mA
栅极至源极电压(Vgs)
6V
增益
24dB
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
噪声图
1.3dB
电压-测试
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BG3130RH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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