Infineon Technologies PTFA192401FV4XWSA1
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PTFA192401FV4XWSA1
1211-PTFA192401FV4XWSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 37260 Tray
1最小包装量--
PTFA192401FV4XWSA1详情
Infineon Technologies PTFA192401FV4XWSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
引脚数
3
Number of Elements
1
Voltage Rated
65V
包装
Tray
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
761W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
额定电流
10μA
频率
1.96GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PTFA192401
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFP-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.6A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
16dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
50W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
PTFA192401FV4XWSA1拓展信息
Infineon Technologies
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