Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1
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BCR133E6433HTMA1
1211-BCR133E6433HTMA1
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
--最小包装量--
BCR133E6433HTMA1详情
Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
200mW
额定电流
100mA
基本部件号
BCR133
元素配置
Single
功率 - 最大
200mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
最大击穿电压
50V
频率转换
130MHz
电阻基(R1)
10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR133E6433HTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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