Infineon Technologies BF2030-E6327
- 收藏
- 对比
BF2030-E6327
1211-BF2030-E6327
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-253-4, TO-253AA
大陆
立即发货

RF N-CHANNEL MOSFET
1最小包装量--
BF2030-E6327详情
Infineon Technologies BF2030-E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-253-4, TO-253AA
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT143 (SC-61)
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
活跃
Voltage Rated
8 V
Package Description
SOT-143, 4 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BF2030E6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
7.87
Part Package Code
SOT-143
Drain Current-Max (ID)
0.04 A
系列
-
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
子类别
FET 通用电源
额定电流
-
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
1GHz
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
10 mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
N-Channel
增益
23dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.04 A
DS 击穿电压-最小值
10 V
功率 - 输出
-
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
噪声图
1.5dB @ 800MHz
电压-测试
5 V
最高频段
超高频段
功率增益-最小值(Gp)
20 dB
BF2030-E6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。