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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.481899
10
¥2.341415
100
¥2.208882
500
¥2.083851
1000
¥1.965896
Infineon Technologies BF776H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BF776H6327XTSA1
1211-BF776H6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
大陆
立即发货

TRANS RF NPN 1.8GHZ 4.0V SOT343
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BF776H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BF776H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.7V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
40GHz
基本部件号
BF776
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
功率耗散
200mW
箱体转运
EMITTER
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 30mA 3V
增益
24dB
转换频率
46000MHz
最大击穿电压
4.7V
频率转换
46GHz
集电极基极电压(VCBO)
13V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
集电极-基极电容-最大值
0.2pF
噪音数字(分贝类型@ f)
0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BF776H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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