BFG135AE6327XT
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Infineon Technologies BFG135AE6327XT

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型号

BFG135AE6327XT

utmel 编号

1211-BFG135AE6327XT

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

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BFG135AE6327XT
BFG135AE6327XT Infineon Technologies Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

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BFG135AE6327XT详情

Infineon Technologies BFG135AE6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    PG-SOT223-4

  • Number of Elements

    1

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    150mA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    15V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    1W

  • 频率

    6GHz

  • 基本部件号

    BFG135

  • 极性

    NPN

  • 功率耗散

    1W

  • 功率 - 最大

    1W

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15V

  • 最大集电极电流

    150mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 100mA 8V

  • 增益

    9dB ~ 14dB

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    15V

  • 频率转换

    6GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    25V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    2V

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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BFG135AE6327XT拓展信息

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