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1000

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Infineon Technologies BFP183E7764HTSA1

Name: BFP183E7764HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BFP183E7764HTSA1
Price: 1.37 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFP183E7764HTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFP183E7764HTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-253-4, TO-253AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

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BFP183E7764HTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

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BFP183E7764HTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BFP183E7764HTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-253-4, TO-253AA
引脚数

4
Current-Collector (Ic) (Max)

65mA
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2007
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

12V
最大功率耗散

250mW
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
额定电流

65mA
频率

8GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

BFP183
功率耗散

250mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

12V
最大集电极电流

65mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 15mA 8V
增益

22dB
集电极基极电压(VCBO)

20V
发射极基极电压 (VEBO)

2V
噪音数字(分贝类型@ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BFP183E7764HTSA1拓展信息

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