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1000

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Infineon Technologies BFP193WH6327XTSA1

Name: BFP193WH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BFP193WH6327XTSA1
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFP193WH6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFP193WH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R

起订量

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BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R

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BFP193WH6327XTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BFP193WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-82A, SOT-343
引脚数

4
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V
Current-Collector (Ic) (Max)

80mA
Number of Elements

1
hFEMin

50
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
终端

SMD/SMT
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

580mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
频率

8GHz
基本部件号

BFP193
JESD-30代码

R-PDSO-G3
配置

SINGLE
测试频率

900MHz
功率耗散

580mW
晶体管应用

AMPLIFIER
无卤素

无卤素
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

12V
最大集电极电流

50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 30mA 8V
增益

13.5dB ~ 20.5dB
转换频率

8000MHz
最大击穿电压

12V
集电极基极电压(VCBO)

20V
发射极基极电压 (VEBO)

2V
噪音数字(分贝类型@ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
达到SVHC

Unknown
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BFP193WH6327XTSA1拓展信息

热销零件