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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.655441
10
¥0.618341
100
¥0.58334
500
¥0.55032
1000
¥0.519171
Infineon Technologies BFP196WH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BFP196WH6327XTSA1
1211-BFP196WH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-82A, SOT-343
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 12V 0.15A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP196WH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP196WH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
最大功率耗散
700mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
7.5GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFP196
元素配置
Single
功率耗散
700mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 50mA 8V
增益
12.5dB ~ 19dB
转换频率
7500MHz
最大击穿电压
12V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
2V
噪音数字(分贝类型@ f)
1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
高度
900μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP196WH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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