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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.281047
10
¥2.151931
100
¥2.030123
500
¥1.915211
1000
¥1.806803
Infineon Technologies BFP420FH6327XTSA1
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- 对比
BFP420FH6327XTSA1
1211-BFP420FH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 4.5V 0.06A 4-Pin TSFP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP420FH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP420FH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
5.5V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
160mW
端子位置
DUAL
频率
25GHz
基本部件号
BFP420
配置
SINGLE
功率耗散
210mW
功率 - 最大
160mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4.5V
最大集电极电流
35mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 5mA 4V
增益
19.5dB
转换频率
25000MHz
最大击穿电压
5.5V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
1.5V
集电极-基极电容-最大值
0.3pF
噪音数字(分贝类型@ f)
1.1dB @ 1.8GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP420FH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies







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