Infineon Technologies BFP420H6327XTSA1

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

5V

Current-Collector (Ic) (Max)

35mA

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

160mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

25GHz

基本部件号

BFP420

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

测试频率

1.8GHz

功率耗散

210mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

60mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 20mA 4V

增益

21dB

转换频率

25000MHz

最大击穿电压

5V

集电极基极电压(VCBO)

15V

发射极基极电压 (VEBO)

1.5V

最大结点温度（Tj）

150°C

噪音数字(分贝类型@ f)

1.1dB @ 1.8GHz

高度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅