BFP620E7764BTSA1
BFP620E7764BTSA1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon Technologies BFP620E7764BTSA1

  • 收藏
  • 对比

型号

BFP620E7764BTSA1

utmel 编号

1211-BFP620E7764BTSA1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR RF NPN 2.3V SOT-343

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BFP620E7764BTSA1
BFP620E7764BTSA1 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 2.3V SOT-343

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BFP620E7764BTSA1详情

Infineon Technologies BFP620E7764BTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-82A, SOT-343

  • 供应商器件包装

    PG-SOT343-4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    2.8V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    80mA

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    185mW

  • 基本部件号

    BFP620

  • 功率 - 最大

    185mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最大集电极电流

    80mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    110 @ 50mA 1.5V

  • 增益

    21.5dB

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    2.8V

  • 最大击穿电压

    2.8V

  • 频率转换

    65GHz

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BFP620E7764BTSA1.

查看更多

BFP620E7764BTSA1拓展信息

BFR106E6327HTSA1
BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1
BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP640H6327XTSA1
BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP520H6327XTSA1
BFP520H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFS17PE6327HTSA1
BFS17PE6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP460H6327XTSA1
BFP460H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFR380FH6327XTSA1
BFR380FH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFQ19SH6327XTSA1
BFQ19SH6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP650FH6327XTSA1
BFP650FH6327XTSA1

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z