Infineon Technologies BFP620H7764XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

引脚数

4

晶体管元件材料

硅锗碳

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.8V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

额定功率

1W

最大功率耗散

185mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

65GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BFP620

配置

SINGLE

功率耗散

185mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

2.3V

最大集电极电流

80mA

最大重复反向电压(Vrrm)

15V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 50mA 1.5V

增益

21.5dB

转换频率

65000MHz

保持电流

100mA

最大击穿电压

2.8V

集电极基极电压(VCBO)

7.5V

发射极基极电压 (VEBO)

1.2V

集电极-基极电容-最大值

0.2pF

噪音数字(分贝类型@ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅