Infineon Technologies BFP640FESDH6327XTSA1

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, Flat Leads

引脚数

4

晶体管元件材料

硅锗碳

Collector-Emitter Breakdown Voltage

4.7V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BFP640

配置

SINGLE

功率耗散

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

4.1V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 30mA 3V

增益

8B ~ 30.5dB

转换频率

46000MHz

频率转换

46GHz

集电极基极电压(VCBO)

4.8V

最高频段

X B

噪音数字(分贝类型@ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅