Infineon Technologies BFP 640 H6433

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

表面安装

YES

晶体管元件材料

硅锗

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

LOW NOISE, HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

基本部件号

BFP640

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 30mA 3V

增益

24dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

4.5V

转换频率

40000MHz

频率转换

40GHz

最高频段

C B

集电极-基极电容-最大值

0.2pF

噪音数字(分贝类型@ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz