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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.943065
10
¥2.776475
100
¥2.619314
500
¥2.471055
1000
¥2.331187
Infineon Technologies BFP720FESDH6327XTSA1
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- 对比
BFP720FESDH6327XTSA1
1211-BFP720FESDH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 4.2V 0.03A T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP720FESDH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP720FESDH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
引脚数
4
晶体管元件材料
硅锗碳
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.7V
Current-Collector (Ic) (Max)
30mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
100mW
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
45GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFP720
配置
SINGLE
功率耗散
100mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4.2V
最大集电极电流
30mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 15mA 3V
增益
10dB ~ 29dB
转换频率
45000MHz
集电极基极电压(VCBO)
4.9V
噪音数字(分贝类型@ f)
0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP720FESDH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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