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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.543607
10
¥3.343028
100
¥3.153794
500
¥2.975279
1000
¥2.806866
Infineon Technologies BFP740FH6327XTSA1
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- 对比
BFP740FH6327XTSA1
1211-BFP740FH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

Trans RF BJT NPN 4V 0.03A Automotive 4-Pin TSFP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP740FH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFP740FH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
引脚数
4
供应商器件包装
4-TSFP
Collector-Emitter Breakdown Voltage
4.7V
Current-Collector (Ic) (Max)
30mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
160mW
频率
42GHz
基本部件号
BFP740
极性
NPN
功率耗散
160mW
功率 - 最大
160mW
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4V
最大集电极电流
30mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 25mA 3V
增益
27.5dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
4.7V
最大击穿电压
4.7V
频率转换
42GHz
集电极基极电压(VCBO)
13V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
噪音数字(分贝类型@ f)
0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP740FH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







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