Infineon Technologies BFP780H6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

6.1V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

600mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

1.8GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

功率 - 最大

600mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

120mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 90mA 5V

增益

27dB

转换频率

20000MHz

最大击穿电压

6.1V

频率转换

900MHz

噪音数字(分贝类型@ f)

1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅