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Infineon Technologies BFP840FESDH6327XTSA1

Name: BFP840FESDH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BFP840FESDH6327XTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BFP840FESDH6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BFP840FESDH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS

起订量

--最小包装量--

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BFP840FESDH6327XTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BFP840FESDH6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-82A, SOT-343
引脚数

4
晶体管元件材料

硅锗碳
Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.6V
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

75mW
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

85GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

BFP840
元素配置

Dual
功率耗散

75mW
晶体管应用

AMPLIFIER
无卤素

无卤素
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

2.25V
最大集电极电流

35mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 10mA 1.8V
增益

35dB
转换频率

85000MHz
最大击穿电压

2.6V
集电极基极电压(VCBO)

2.9V
发射极基极电压 (VEBO)

2.6V
连续集电极电流

35mA
噪音数字(分贝类型@ f)

0.75dB @ 5.5GHz
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

BFP840FESDH6327XTSA1拓展信息

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