Infineon Technologies BFR181WH6327XTSA1

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

175mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

8GHz

基本部件号

BFR181

配置

SINGLE

测试频率

900MHz

功率耗散

175mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

20mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA 8V

增益

19dB

转换频率

8000MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

集电极-基极电容-最大值

0.45pF

噪音数字(分贝类型@ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅