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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.306506
10
¥1.232553
100
¥1.162787
500
¥1.096968
1000
¥1.034875
Infineon Technologies BFR183E6327HTSA1
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- 对比
BFR183E6327HTSA1
1211-BFR183E6327HTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFR183E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BFR183E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Number of Elements
1
已出版
2014
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
12V
最大功率耗散
450mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
65mA
频率
8GHz
基本部件号
BFR183
配置
SINGLE
功率耗散
450mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
65mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 15mA 8V
增益
17.5dB
转换频率
8000MHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
2V
集电极-基极电容-最大值
0.6pF
噪音数字(分贝类型@ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BFR183E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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