Infineon Technologies BFR360FH6327XTSA1

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

6V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

210mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

频率

14GHz

基本部件号

BFR360

配置

SINGLE

测试频率

1.8GHz

功率耗散

210mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

6V

最大集电极电流

35mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

90 @ 15mA 3V

增益

15.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

9V

转换频率

14000MHz

最大击穿电压

9V

集电极基极电压(VCBO)

15V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

集电极-基极电容-最大值

0.5pF

噪音数字(分贝类型@ f)

1dB @ 1.8GHz

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅