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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.458867
10
¥2.319686
100
¥2.188384
500
¥2.064513
1000
¥1.947653
Infineon Technologies BFR740L3RHE6327XTSA1
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- 对比
BFR740L3RHE6327XTSA1
1211-BFR740L3RHE6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-101, SOT-883
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 3-Pin TSLP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFR740L3RHE6327XTSA1详情
Infineon Technologies BFR740L3RHE6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
引脚数
3
晶体管元件材料
硅锗
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
4V
最大功率耗散
160mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
30mA
频率
42GHz
基本部件号
BFR740
配置
SINGLE
功率耗散
160mW
箱体转运
EMITTER
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
4V
最大集电极电流
30mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 25mA 3V
增益
24.5dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
4.7V
转换频率
42000MHz
集电极基极电压(VCBO)
13V
发射极基极电压 (VEBO)
1.2V
噪音数字(分贝类型@ f)
0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFR740L3RHE6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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