Infineon Technologies BG3130E6327HTSA1
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BG3130E6327HTSA1
1211-BG3130E6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
1最小包装量--
BG3130E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BG3130E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Voltage Rated
8V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
附加功能
低噪音
终端形式
鸥翼
额定电流
25mA
频率
800MHz
基本部件号
BG3130
JESD-30代码
R-PDSO-G6
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
测试电流
14mA
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
增益
24dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.025A
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
噪声图
1.3dB
电压-测试
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
BG3130E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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