BF888H6327XTSA1
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Infineon Technologies BF888H6327XTSA1

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型号

BF888H6327XTSA1

utmel 编号

1211-BF888H6327XTSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

SOT-343

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R

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BF888H6327XTSA1
BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R

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BF888H6327XTSA1详情

Infineon Technologies BF888H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-343

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    低噪音

  • 最大功率耗散

    160mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 频率

    47GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    160mW

  • 箱体转运

    EMITTER

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    4V

  • 最大集电极电流

    30mA

  • 转换频率

    47000MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    13V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    1.2V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BF888H6327XTSA1相似的参数规格。

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BF888H6327XTSA1拓展信息

BF1005SE6327HTSA1
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Infineon Technologies

BF999E6433HTMA1
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BG3130RH6327XTSA1
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PTFA212001EV4R250XTMA1
PTFA212001EV4R250XTMA1

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BF1009SE6327HTSA1
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BF2030E6814HTSA1
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BG 3230 E6327
BG 3230 E6327

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BF2040E6814HTSA1
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PTFA192401FV4XWSA1
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