Infineon Technologies BSB028N06NN3GXUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

表面安装

YES

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta 90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 78W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 102μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver/Nickel (Ag/Ni)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-MBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

78W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 30A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12000pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

143nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

90A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.0028Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

360A

雪崩能量等级（Eas）

590 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅