Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2009

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BSC072N03

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

57W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.0094Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant