Infineon Technologies BSC0925NDATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.5W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

4.7 ns

场效应管类型

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1157pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

3.8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

14 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant