Infineon Technologies BSC0993NDATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

14 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant