Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1
- 收藏
- 对比
BSC112N06LDATMA1
1211-BSC112N06LDATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
立即发货

TRENCH 40
--最小包装量--
BSC112N06LDATMA1详情
Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
系列
OptiMOS™-T2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
65W Tc
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.2m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 28μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4020pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC112N06LDATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。