BSC112N06LDATMA1
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Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1

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型号

BSC112N06LDATMA1

utmel 编号

1211-BSC112N06LDATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRENCH 40

起订量

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BSC112N06LDATMA1
BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies TRENCH 40

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BSC112N06LDATMA1详情

Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 系列

    OptiMOS™-T2

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    65W Tc

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.2m Ω @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 28μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4020pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    55nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1.

BSC112N06LDATMA1拓展信息

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