Infineon Technologies BSD223P L6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

390mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.21.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSD223

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

250mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 390mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1.5μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

56pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.62nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.39A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.25W

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

22 pF

RoHS状态

符合RoHS标准