Infineon Technologies BSL305SPEH6327XTSA1
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BSL305SPEH6327XTSA1
1211-BSL305SPEH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2W; PG-TSOP-6
1最小包装量--
BSL305SPEH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSL305SPEH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 20μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
系列
OptiMOS™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 5.3A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
939pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
5.3A
最大双电源电压
-30V
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
21.2A
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSL305SPEH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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