Infineon Technologies BSM150GD60DLC

工厂交货时间

18 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

21

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.95V

Number of Elements

6

操作温度

150°C TJ

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

39

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

39

JESD-30代码

R-XUFM-X39

配置

Single

功率耗散

570W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

570W

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

180A

最大集极截止电流

500μA

接通时间

155 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.45V @ 15V, 150A

关断时间-标准值（toff)

260 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6.5nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.45 V

RoHS状态

符合RoHS标准