Infineon Technologies BSO207PHXUMA1
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BSO207PHXUMA1
1211-BSO207PHXUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 8-Pin DSO Dry
1最小包装量--
BSO207PHXUMA1详情
Infineon Technologies BSO207PHXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSO207
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
1.6W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 5.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 44μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1650pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22.8A
DS 击穿电压-最小值
20V
雪崩能量等级(Eas)
44 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSO207PHXUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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