BSO207PHXUMA1
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Infineon Technologies BSO207PHXUMA1

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型号

BSO207PHXUMA1

utmel 编号

1211-BSO207PHXUMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 8-Pin DSO Dry

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BSO207PHXUMA1
BSO207PHXUMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 8-Pin DSO Dry

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BSO207PHXUMA1详情

Infineon Technologies BSO207PHXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5A

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BSO207

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率 - 最大

    1.6W

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45m Ω @ 5.7A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 44μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1650pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.045Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    22.8A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    44 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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BSO207PHXUMA1拓展信息

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