Infineon Technologies BSO207PNTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

BSO207

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 5.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 40μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1013pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

5.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant