Infineon Technologies BSO604NS2XUMA1

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

55V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BSO604NS2

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 30μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

8ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

55V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.044Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅