BSO615N
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Infineon Technologies BSO615N

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型号

BSO615N

utmel 编号

1211-BSO615N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

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BSO615N Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

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BSO615N详情

Infineon Technologies BSO615N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    SIPMOS®

  • 已出版

    2000

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 最大功率耗散

    2W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    235

  • 额定电流

    2.6A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BSO615

  • 资历状况

    不合格

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    150m Ω @ 2.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 20μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    380pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20nC @ 10V

  • 上升时间

    15ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    10.4A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    60 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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BSO615N拓展信息

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