Infineon Technologies BSS209PWH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

630mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300mW Ta

Turn Off Delay Time

6 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 3.5μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-580mA

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 630mA, 4.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

115pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.3nC @ 4.5V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

4.6 ns

连续放电电流(ID)

580mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

-20V

漏极-源极导通最大电阻

0.55Ohm

反馈上限-最大值 (Crss)

45 pF

高度

800μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅