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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.539381
10
¥0.50885
100
¥0.480047
500
¥0.452874
1000
¥0.42724
Diodes Incorporated DMN2004WK-7
- 收藏
- 对比
DMN2004WK-7
671-DMN2004WK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2004WK-7详情
Diodes Incorporated DMN2004WK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
540mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
550mOhm
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
540mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
200mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
540mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏源击穿电压
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
高度
1mm
长度
2.15mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN2004WK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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