Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N8

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

17W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

18m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

360pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

4 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant