BYM600A170DN2HOSA1
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Infineon Technologies BYM600A170DN2HOSA1

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型号

BYM600A170DN2HOSA1

utmel 编号

1211-BYM600A170DN2HOSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MODULE 1400W MED PWR 62MM-2

起订量

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BYM600A170DN2HOSA1
BYM600A170DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 1400W MED PWR 62MM-2

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BYM600A170DN2HOSA1详情

Infineon Technologies BYM600A170DN2HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    40 Weeks

  • 底架

    Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 引脚数

    262

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.7kV

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 已出版

    1999

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 应用

    POWER

  • 附加功能

    自由旋转二极管

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X5

  • 配置

    Single

  • 二极管类型

    接收电极

  • 功率耗散

    1.4kW

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    1400W

  • 正向电流

    600A

  • 无卤素

    不含卤素

  • 输入

    Standard

  • 相位的数量

    1

  • 峰值反向电流

    1.6mA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    1.7kV

  • 反向电压

    1.7kV

  • 反向恢复时间-最大值

    1μs

  • NTC热敏电阻

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies BYM600A170DN2HOSA1.

BYM600A170DN2HOSA1拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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