Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

Module

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

CoolSiC™+

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

功率 - 最大

20mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

620nC @ 15V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

漏源电阻

45mOhm

RoHS状态

符合RoHS标准