Infineon Technologies FD200R12KE3HOSA1

工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~125°C

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X5

配置

单斩波器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1050W

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

400 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 200A

关断时间-标准值（toff)

830 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

14nF @ 25V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅