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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 FF200R12KE3B2HOSA1
FF200R12KE3B2HOSA1
FF200R12KE3B2HOSA1

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Infineon Technologies FF200R12KE3B2HOSA1

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型号

FF200R12KE3B2HOSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-FF200R12KE3B2HOSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MOD 1200V 295A 1050W

起订量

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FF200R12KE3B2HOSA1
FF200R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies IGBT MOD 1200V 295A 1050W

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FF200R12KE3B2HOSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies FF200R12KE3B2HOSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    295A

  • 操作温度

    -40°C~125°C

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 配置

    半桥

  • 功率 - 最大

    1050W

  • 输入

    Standard

  • 最大集极截止电流

    5mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    1200V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

    2.15V @ 15V, 200A

  • NTC热敏电阻

    无

  • 输入电容(Cies)@Vce

    14nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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