Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1
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FF23MR12W1M1B11BOMA1
1211-FF23MR12W1M1B11BOMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
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MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
1最小包装量--
FF23MR12W1M1B11BOMA1详情
Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
制造商包装标识符
AG-EASY1BM-2
Turn Off Delay Time
43.5 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tray
系列
CoolSiC™+
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
通道数量
2
功率耗散
20mW
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 50A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.55V @ 20mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3950pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
连续放电电流(ID)
50A
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
高度
12.35mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FF23MR12W1M1B11BOMA1拓展信息
Infineon Technologies
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