FF23MR12W1M1B11BOMA1
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Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1

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型号

FF23MR12W1M1B11BOMA1

utmel 编号

1211-FF23MR12W1M1B11BOMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

起订量

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FF23MR12W1M1B11BOMA1
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

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FF23MR12W1M1B11BOMA1详情

Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 制造商包装标识符

    AG-EASY1BM-2

  • Turn Off Delay Time

    43.5 ns

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tray

  • 系列

    CoolSiC™+

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 通道数量

    2

  • 功率耗散

    20mW

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    23m Ω @ 50A, 15V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.55V @ 20mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3950pF @ 800V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    125nC @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V 1.2kV

  • 连续放电电流(ID)

    50A

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    Silicon Carbide (SiC)

  • 高度

    12.35mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

FF23MR12W1M1B11BOMA1拓展信息

IRF7306TRPBF
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BSD235CH6327XTSA1
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IPG20N06S4L11ATMA1
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IRF7101TRPBF
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IRF7319TRPBF
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IRF7351TRPBF
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