FF6MR12W2M1B11BOMA1
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Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1

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型号

FF6MR12W2M1B11BOMA1

utmel 编号

1211-FF6MR12W2M1B11BOMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET MODULE 1200V 200A

起订量

1最小包装量--

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FF6MR12W2M1B11BOMA1
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies MOSFET MODULE 1200V 200A

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FF6MR12W2M1B11BOMA1详情

Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    200A Tj

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 系列

    CoolSiC™+

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    20mW Tc

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.63m Ω @ 200A, 15V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.55V @ 10mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    14700pF @ 800V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    496nC @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V

  • 场效应管特性

    Silicon Carbide (SiC)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1.

FF6MR12W2M1B11BOMA1拓展信息

IRF7306TRPBF
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Infineon Technologies

BSD235CH6327XTSA1
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IPG20N06S4L11ATMA1
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Infineon Technologies

IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF

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IRF7380TRPBF
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IRF9952TRPBF
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IRF7101TRPBF
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IRF7319TRPBF
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IRF7351TRPBF
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